Η κλίση του υποκατωφλίου είναι χαρακτηριστικό του χαρακτηριστικού ρεύματος-τάσης ενός MOSFET. Στην περιοχή του υποκατωφλίου, η συμπεριφορά του ρεύματος αποστράγγισης - αν και ελέγχεται από τον ακροδέκτη της πύλης - είναι παρόμοια με το εκθετικά μειούμενο ρεύμα μιας διόδου πολωμένης προς τα εμπρός.
Ποια είναι η σημασία της εναλλαγής υποκατωφλίου;
Η ταλάντευση του υποκατωφλίου είναι μια σημαντική παράμετρος στη μοντελοποίηση του ασθενούς καθεστώτος αντιστροφής, ειδικά για αναλογικές εφαρμογές υψηλής απολαβής, κυκλώματα απεικόνισης και εφαρμογές χαμηλής τάσης.
Τι είναι η έννοια της ταλάντευσης υποκατωφλίου;
Η ταλάντευση υποκατωφλίου (S) είναι η τιμή που καθορίζει τη συμπεριφορά ενός τρανζίστορ στην περιοχή υποκατωφλίου. Η απόδοση του τρανζίστορ πεδίου επίδρασης μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού (MOSFET) περιορίζεται θεμελιωδώς από τη θερμική τάση (kT/q), η οποία οδηγεί στο θεωρητικό ελάχιστο S=60mV/δεκαετία.
Τι είναι η ταλάντευση υποκατωφλίου στο VLSI;
Η κλίση του υποκατωφλίου είναι ένα χαρακτηριστικό του χαρακτηριστικού ρεύματος-τάσης ενός MOSFET . … Μια τυπική πειραματική ταλάντευση υποκατωφλίου για ένα κλιμακούμενο MOSFET σε θερμοκρασία δωματίου είναι ~70 mV/dec, ελαφρώς υποβαθμισμένη λόγω παρασιτικών MOSFET βραχέων καναλιών. Ένας δεκαετία αντιστοιχεί σε 10 φορές αύξηση του ρεύματος αποστράγγισης ID.
Πώς μπορώ να βρω την αλλαγή του υποκατωφλίου μου;
Η γενική έκφραση για την κλίση υποκατωφλίου (swing) είναι S=(d(log10Ids)/dVgs)-1. Ή από τοπάνω από το διάγραμμα, σε πολύ χαμηλά Vgs, πάρτε την παράγωγο των τιμών καταγραφής των αναγνωριστικών σε σχέση με το Vgs και, στη συνέχεια, αντιστρέψτε την τιμή που προκύπτει.
6.3 Subthreshold swing
